FET특성 및 증폭기
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작성일 23-10-04 00:33
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FET特性(특성) 및 증폭기
1. 관련 理論(이론)
전기장 효율 transistor(트랜지스터) (FET: field effect transistor): 단극(單極)transistor(트랜지스터) 또는 FET라고도 한다.
2. FET 내부에서의 전자 움직임
① 공핍층(depletion layer) : pn접합면에는 역전압이 가해져 있으므로 접합면 가까이의 자유 전자가 없는 영역.
② 채널(channel) : n형 반도체 내에서 공핍층을 제외한 영역은 VDS에 의해 자유 전자가 이동하는 영역.
③ VGS를 가할 경우 : VGS〓0[V]일 때는 공핍층은 VDS에 의한 것이었지만, VGS를 증가시키면 그 전압이 역방향 전압이므로, VGS〓0[V}일 때보다 공핍층이 넓어져 같은 VDS일지라도 ID는 작아진다. 그 후 황화카드뮴 박막(薄膜)을 사용하는 것과, 또 실리콘 표면에 산화막을 만들고 그 위에 제어용 전극(게이트)을 만든 MOS(metal oxide semiconductor)형이 만들어져서 대규모 집적회로가 제작되었다. 그래서…(省略)
① FET는 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이 있고, 다시 각각 n채널형과 p채널형으로 나눈다.
실효단면적을 變化(변화)시키는 것과(접합형 FET) 채널캐리어의 농도를 變化(변화)시키는 방법(MOS FET)으로 나눌 수 있다
W.쇼클레이 등이 transistor(트랜지스터)
를 발명한 동기는 FET를 만들기 위해서였는데, 실제로는 프랑스의 S.테츠너가 테크네트론으로서 실현하였다. 원리는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 흐르는 전자류(電子流)를 게이트(gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다.
② 전극명은 드레인(D:drain), 소스(S:source) 및 게이트(G:gate)로 3단자이다.
① 감소형 : 절연 게이트형(MOS형)FET는 게이트 전압 VGS가 가해짐에 따라 미리 형성된 채널을 좁혀서 드레인 전류 ID를 감소시키는 特性(특성)을 가지고 있으므로 감소형이라 한다. 즉, 채널의 저항을 變化(변화)시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것이다.
② 증가형 : VGS를 가하지 않았을 때는 채널이 형성되지 않고, VGS를 가함으로써 채널이 형성되게 하여, VGS를 크게 함에 따라 채널이 넓어져 ID가 증가하도록 만든 것을 증가형이라 한다.
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