[기초전기전자] 다이오드 속성 test(실험)
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작성일 23-07-09 09:32
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이는 p영역의 hole의 n영역으로, n영역의 전자기 p영역으로 활발히 흐름으로 인해 p영역에서 n영역으로 큰 전류 I가 흐르게 된다
역방향 전류
오른쪽 그림 11-1-(b)와 같이 pn접합 다이오드에 외부전압이 n형쪽에 +, p형쪽에 -가 되도록 가해질 때 역방향 전압 ( reverse voltage ) 또는 역방향 바이어스 ( bias )가 걸렸다고 말한다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방향 저항은 매우 높기 때문일것이다 모든 반도체 다이오드는 대체적으로 단방향적 property(특성)을 가지고 있다아
순방향 전류
오른쪽 그림 11-1-(a)와 같이 전원을 pn접합 다이오드의 p형 쪽에 +극을 n형 극 쪽에 대하여 -극을 연결할 때 순방향전압 ( forward voltage ) 또는 순방향 바이어스 ( bias )가 걸려있다고 말한다.
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실험과제/전기전자
[기초전기전자] 다이오드 속성 test(실험)
[기초전기전자] 다이오드 속성 test(실험)
기초전기전자實驗(실험)
다이오드 property(특성) 實驗(실험) 보고서
1. 관련理論(이론)
반도체 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이 때 다이오드를 통하여 큰 전류 즉, 순방향 전류 ( forward current )가 흐른다. 이때 다이오드를 통해 극히 약한 전류 즉, 역포화 전류 ( reverse saturation…(drop)① 전압을 가하지 않을 때 : pn 접합면에 정공이나 전자의 이동을 방해하는 전기장이 생김.
② 순방향 전압을 가했을 때 (n형에 -, p형에 +의 전압을 가했을 때)
③ 역방향 전압을 가했을 때 (n형에 +, p형에 - 전압을 가했을 때)
④ 정류 작용 : 한방으로만 전류를 흐르게 함.
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